 |
ПРОБЛЕМЫ НЕ В РОССИЙСКОМ
РУКОВОДЯЩЕМ ДОКУМЕНТЕ
| 
Валерий Ванин,
д.т.н., профессор
СПбГПУ | 
Максим Попов,
к.т.н., доцент СПбГПУ,
г. С.-Петербург |
Представляется не совсем точной постановка задачи в материале.
Специфические требования к ТТ и токовым цепям микропроцессорной защиты весьма актуальны уже в течение нескольких последних
десятилетий, когда для построения РЗА начали использовать полупроводниковую дискретную и интегральную электронику (и аналоговую,
и цифровую).
Кстати, ТТ могут насыщаться как в переходных, так и в установившихся режимах работы оборудования, и это было актуальным также
и для электромеханических систем. Для обеспечения правильной
работы РЗА, в российской и международной практике был разработан
ряд нормирующих документов. Требования к ТТ, излагаемые в них,
на определенных временных этапах корректируются [1].
Прогрессивным было введение полной относительной погрешности e% ТТ:
где I1 – действующее значение первичного тока, к которому приводится численное значение погрешности;
T – интервал интегрирования;
i1, i2 – мгновенные значения первичного и вторичного тока;
nТном – номинальный коэффициент трансформации.
Из приведенного выражения вытекает его физический смысл. По
своей сути e% является приведенным (в процентах) действующим
значением намагничивающего тока. Достоинством выражения является универсальность для оценки влияния нелинейности кривой
намагничивания B = f(H) на погрешность электромагнитных ТТ в
переходных и установившихся режимах при различных кратностях
тока по отношению к номинальному значению и различных сопротивлениях нагрузки.
Для удобства использования введенной полной погрешности,
в отечественной документации на выпускаемые трансформаторы
приводятся кривые предельной кратности K10, ориентируясь на которые можно характеризовать правильную работу ТТ при различных
режимах и сопротивлениях нагрузки. Часто отмечается, что именно
при e% = 10% начинается режим насыщения ТТ.
Следует отметить некоторую трудность в измерениях e% на
практике. Поэтому, по всей видимости, некоторые изготовители ТТ
не всегда приводят полную информацию на изделия. Дальнейшее развитие технологии измерений делает использование данного параметра
еще более привлекательным.
Учитывая сказанное выше, считаем, что не следует слишком опрометчиво ругать отечественные методики выбора ТТ.
Необходимо также отметить, что в статье автор подчеркивает: к
насыщению ТТ приводит, кроме входного сопротивления устройств
релейной защиты, только сопротивление кабеля, связывающего их.
В то же время немалую роль в насыщении ТТ, в зависимости от их
конструктивного исполнения (каскадные, одиночные), может играть
и собственное сопротивление их вторичной обмотки при больших
кратностях токов короткого замыкания.
Поэтому актуальным в решении задачи повышения точности ТТ
является всё – поиск новых вариантов их конструкций, уменьшение
входных сопротивлений РЗА и кабелей связи и т.д. Некоторые аспекты
этого изложены в [2].
В настоящее время входные активные преобразователи тока аналоговых и цифровых устройств РЗА имеют малые сопротивления (R
 0,3 Ом). Поэтому особо актуальным является совершенствование
алгоритмов устройств защиты, которые могут обеспечить правильную
работу приборов РЗА при высоком их быстродействии и глубоких
насыщениях ТТ.
В отечественной и в зарубежной практике решением подобного
вопроса занимаются многие организации. Так, наиболее подверженные неправильной работе ТТ дифференциальные защиты трансформаторов, шин и др. содержат специальные блоки отстройки и
формирования тормозных сигналов, обеспечивающие правильную
работу защиты при полных относительных приведенных погрешностях ТТ от 50 до 80%.
При расчете вспомогательных блоков РЗА часто требуется знание
точного математического описания ТТ, а не отдельных его параметров.
Этому уделяется большое внимание и в России, и за рубежом. Поэтому
трудно согласиться с автором статьи, что все беды – в российском РД
34.35.106, а достоинства – в зарубежных стандартах. Хотя в выводах
статьи он правильно замечает, что всё дело в грамотности специалистов
фирм-производителей.
В заключение отметим, что хотелось бы увидеть (кроме известных)
предложения по улучшению работы (увеличению точности) электромагнитных ТТ в переходных и стационарных режимах, что, судя по
названию, было основной целью статьи.
ЛИТЕРАТУРА
1. Федосеев А. М. Релейная защита электроэнергетических систем.
Релейная защита сетей. 1989. С. 305–317.
2. Ванин В. К., Павлов Г. М. Релейная защита на элементах вычислительной
техники. 2-е изд. Л.: Энергоатомиздат, 1991. С. 131–140.
| 
|
